Рубрика: Електроника
150W MOSFET засилувач
Автори: Зоран Цветковски, Георги Ефтимов
Ова е само дел од статијата која во целост е објавена во

Емитер 7-8/2007.

Нарачајте го овој број или најавете се за да ја прочитате целата статија.


Многу проекти од светските списанија за аудиотехника станаа популарни и кај нас. Ова е модифицирана, осовременета варијанта на една некогаш популарна конфигурација стара повеќе од 15 години. Станува збор за квалитетен засилувач базиран на излезните транзистори IRF640/IRF9640 со излезна RMS моќност од 100W/8Ω, односно 150W/4Ω.

Во далечната 1990 година во списанието Maplin Magazine беше објавен проект на аудиозасилувач со комплементарниот транзисторски пар 2SK135/2SJ50 во излезниот степен. Засилувачот не беше дизајниран за врвни Hi-Fi достигнувања, туку идејата на проектот беше да се добие едноставен засилувач со добри перформанси кој без проблем би можел секој да го изработи. Веднаш го изработив и се уверив во точноста на тврдењата во списанието. Во наредните години  малку заради пријателите, малку повеќе поради пријателите внесов неколку измени без да го нарушам основниот концепт според кој е дизајнирана оригиналната конфигурација. Овој пат целта беше да се добие квалитетен но поевтин засилувач, кој со добри звучни кутии би ги задоволил вкусовите и на најпробирливите аудиофили. Затоа го заменив скапиот и редок транзисторски пар во излезниот степен со далеку поевтината комбинација IRF640/IRF9640, а додадов и коло за ограничување на струјата низ излезните транзистори, како и коло за заштита од куса врска на излезот. Сето тоа, заедно со уште неколку измени го сочинува овој проект.

Пред да започнете со изработка на овој засилувач добро проучете го целиот текст, како и текстот во рамката “Информации и упатства за електроничарите”. Во ЕМИТЕР досега се објавени неколку проекти на транзисторски аудиозасилувачи. Ви препорачувам сите да ги проучите. Во секој ќе најдете по некоја корисна информација која ќе ви овозможи полесно да го реализирате овој проект. Потоа од ППК сервисот на ЕМИТЕР набавете ја плочката со печатено коло, а компонентите наведени во пописот на потребен материјал набавете ги во најблиската продавница за електронски материјали.

 

Исправки и дополнувања:
Температурен коефициент на PN спој

Во рамката "Термини и кратенки" за терминот температурен коефициент по грешка е дадено објаснување кое се однесува за температурниот коефициент на отпорноста на материјал. Бидејќи во текстот се зборува за температурниот коефициент на напонот на полуспроводнички спој, точното објаснување гласи:
"Промена на напонот на полуспроводничкиот спој поради промена на температурата на спојот. Температурниот коефициент на биполаренните транзистори е позитивен и обично изнесува 2mV/̊C (кај силициумските транзистори)."


Технички карактеристики:

Напојување: ±55Vdc (max ±60Vdc)
Потрошувачка: 2,5A (RL=8 ома) / 5,0A (RL=4 ома)
Излезна моќност (1kHz sine wave): 100Wrms (RL=8 ома) и 150Wrms (RL=4 ома)
Фреквенциски опсег: 20Hz ÷ 40kHz
Изобличување: 0,01% при 1kHz
Влезна импеданса: 47komi
Чувствителност: 835mVrms (2,35Vpp)

 
Главни елементи и материјали:
Печатена плочка: ППК222

MOSFET транзистори: IRF640, IR 9640

Клучни зборови:

Ова е само дел од статијата која во целост е објавена во Емитер 7-8/2007. Нарачајте го овој број за да ја прочитате целата статија, а ако веќе го имате купено електронското издание најавете се за да го прочитате.