Емитер 10/2006.
Нарачајте го овој број или најавете се за да ја прочитате целата статија.
Магнетно-резистивна меморија со случаен пристап. Вака некако би го превеле акронимот MRAM, кој изворно се пишува како Magnetoresistive Random Access Memory. Оваа магнетно-резистивна меморија, всушност, сé уште претставува само револуционерно технолошки проект кој ќе ги замени многуте "силикони" од денешната полуспроводничка фамилија на мемориски елементи. Овој тип на магнетно-резистивна меморија ја комбинира брзината на SRAM и DRAM технологијата на еден единствен чип. Оваа меморија ги искористува магнетните моменти, отколку електричните полнежи, за да ја одреди бинарната состојба на мемориската ќелија. Со ваков технолошки пристап, магнетно-резистивната меморија на еден чип може да преставува решение кое денес се имплементира преку повеќе чипови.
Ова е само дел од статијата која во целост е објавена во Емитер 10/2006. Нарачајте го овој број за да ја прочитате целата статија, а ако веќе го имате купено електронското издание најавете се за да го прочитате.