Тим истражувачи од Универзитетот Фудан во Шангај разви супербрз уред со постојана меморија на ниво на пикосекунда, со што поставија нов репер за перформансите на флеш мемориите. Новоразвиениот чип наречен “PoX” (Phase-change Oxide) може да работи со брзина од 400 пикосекунди (0,4 наносекунди) или грубо – 25 милијарди операции во секунда, надминувајќи го претходниот светски рекорд од 2 милиони операции во секунда.

Традиционалните SRAM (Static Random Access Memory) и DRAM (Dynamic Random Access Memory) можат да впишуваат/читаат податоци во време од 1 до 10 наносекунди. Сепак, тие не се постојани, што значи дека сите зачувани податоци се губат веднаш штом ќе се исклучи напојувањето.
Од друга страна, флеш меморијата што се користи кај SSD и USB дисковите е постојана, така што ги задржува податоците дури и кога уредите ќе останат без напојување. Лошата страна е што пристапувањето кон податоците е многу побавно, обично трае од микросекунди до милисекунди. Ова ограничување на брзината ја прави флеш-меморијата нессодветна за модерните системи со вештачка интелигенција (AI – Artificial Intelligence) кои често имаат потреба од преместување и ажурирање на големи количини податоци речиси веднаш за време на обработката, во реално време.

Дводимензионалната структура на Дураковиот графет

Бидејќи PoX е постојан тип на меморија, може да ги задржува податоците и без потреба за напојување кога е во режим на мирување (idle). Нејзината комбинација на ултра-ниска потрошувачка на енергија и ултра-брзо впишување на ниво на пикосекунда може да помогне да се отстрани долгогодишното тесно грло на меморијата во хардверот со вештачка интелигенција, каде што најголемиот дел од потрошувачката на енергија сега се троши на преместување на податоците наместо на нивна обработка.

Професорот Зоу Пенг и неговиот тим на Универзитетот Фудан целосно ја реконфигурираа структурата на флеш меморијата, каде што наместо традиционалниот силициум тие користеа дводимензионален Дираков графен кој е познат по својата способност да дозволи поленњата да се движат брзо и слободно.
Тие дополнително го подобрија дизајнот со прилагодување на Гаусовата должина на меморискиот канал, што им овозможи да создадат феномен познат како 2D супер-инјекција. Ова резултира со екстремно брз и, практично, неограничен проток на полнења во слојот за складирање на меморија, притоа ефикасно заобиколувајќи ги ограничувањата на брзината со кои се соочуваат конвенционалните мемории.