Од година во година производителите на полуспроводнички електронски елементи настојуваат да конструираат полуспроводници со што помала површина, со колку што е можно помала потрошувачка на електрична енергија, а да постигнуваат колку што е можно поголема густина на моќност и ефикасност.
Се чинеше дека со постоечката технологија и употребата на досегашните материјали е достигнат лимитот, но минатиот месец (август 2019 година) германскиот Институт Фердинанд Браун (Ferdinand-Braun-Institut) од Берлин објави дека е направен револуционерен исчекор во технологијата на полуспроводниците. Имено, бил создаден нов МОСФЕТ (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), односно полуспроводнички транзистор базиран на галиум оксид, којшто може да се оптовари со дури 155 мегавати моќност на квадратен сантиметaр полуспроводничка површина, при напон од 1,8kV, во прекинувачки режим!
Ова беше демонстрирано неколкупати во август оваа година. Добиените резултати со употреба на галуим-оксид (Ga2O3) како полуспроводнички супстрат, ги надминуваат досега поставените граници кога се користеа други материјали, како што се силициум-карбид (SiC) и галиум-нитрит (GaN).
Новиот МОСФЕТ-транзистор се карактеризира со многу мала електрична отпорност кога транзисторот е “вклучен“ и огромна електрична отпорност кога транзисторот е “исклучен“, што му дава голема ефикасност, односно мала потрошувачка при вклучување и исклучување на многу големи електрични моќности.
За да го постигне ова, германскиот Институт Фердинанд–Браун ја оптимизирал повеќеслојната структура на полуспроводничкиот кристал, како и топологијата на управувачката електрода на МОСФЕТ-транзисторот.
Научниот труд за развојот на овој транзистор е објавен во IEEE Electron Device Letters
