Институтот за микроелектроника (IME) при Агенцијата за наука, технологија и истражување (A*STAR) ) од Сингапур и фирмата за полуспроводнички материјали Soitec од Франција најавија најавија соработка чијашто цел е развој на следната генерација од SiC (Silicon Carbide) полуспроводнички склопови за напојување на електрични возила и на напредни електронски високонапонски уреди. Во рамките на соработката, секоја од страните ќе ги користи веќе проверените технологии на Soitec, како Smart Cut, но и пилот-производната линија на IME со цел да создадат 200 mm SiC полуспроводнички подлоги.
Заедничкото истражување ќе придонесе за развој на еден целосен SiC екосистем и ќе ги зајакне капацитетите за производство на полуспроводници во Сингапур и во регионот. Планирано е истражувачката соработка да трае до средината на 2024 година. Крајната цел е постигнување на следните резултати:
- Развој на процесите за изработка на SiC епитаксијални структури и MOSFET-и за Smart Cut SiC подлоги што ќе овозми производство на поквалитетни микрочип транзистори со можност за помалку дефекти во текот на производниот процес и зголемен обем на производство; и
- Дефинирање на модел за изработка на SiC моќните MOSFET уреди направени со Smart Cut SiC подлоги, и демонстрирање на предностите што овој процес ги има над конвенционалните масивни подлоги.
Во врска со оваа соработка Кристоф Малевил од Soitec изјави: „Соработката го отвора патот за развој на напредни решенија на епитаксии за производство на поквалитетни SiC вафли со енергетски ефикасни карактеристики, со оглед на возбудливиот потенцијал на овој материјал“.
