Според инженерите, во моментов е тешко да се задоволат потребите за добрите перформанси на нанотранзисторите. Имено, потребнa е доволно голема струја за вклучување на нанотранзисторите, и доволно мала за нивно исклучување. Притоа разликата помеѓу двете струи треба да биде доволно мала за непречена, брза и повторлива промена помеѓу двете состојби. Овие побарувања значително го забавиле напредокот во развојот на смалувањето на димезиите на тразисторите последниве осум години, па производството на новите помоќни генерации процесори станува сè потешко.

Клучен аспект на CasFET е поставеноста на атомската решетка во материјалот која е вертикална во однос на правецот на пренос на транзисторот со што се овозможува каскадната промена на состојбата

Новата CasFET технологија, всушност транзистор со каскаден ефект на поле, воведува нова метода за промена на состојбата на транзисторите, слична на онаа којашто е воочена кај ефектите што се појавуваат во квантните каскадни ласери.

Според Тилман Кјубис (Tillmann Kubis), инженерот кој ја разви CasFET технологијата, таа нуди поголема флексибилност во изборот на материјали и напонски поставки. Во техничка смисла, CasFET не бара квантно тунелирање од едно ниво до друго. Поради ова, дизајнерите на полупроводници би можеле да развијат транзистори кои освен што ќе бидат енергетски ефикасни, ќе можат и побргу да се вклучуваат и исклучуваат.

Инженерите сè уште работаат на развојот на првиот CasFET прототип, но првичните наоди од нивната работа веќе се регистрирани во Канцеларијата за технолошка комерцијализација на Истражувачката фондација на универзитетот Пердју.