Откритието на асиметричната фероелектричност кај дизајнираните кристали се случува точно 100 години по откривањето на појавата фероелектричност кај одредени природни кристали. Фероелектричните кристали (кристали кои покажуваат две еднакви бистабилни поларизациски состојби) денес имаат широка примена во техниката. Тие се применуваат кај полуспровидничката меморија, RFID картичките, повеќе видови сензори и кај прецизните активатори, на пример.

Природна фероелектричност и вештачки добиена асиметрична фероелектричност. (а) Центросиметрична кристална структура на BaTiO3 над фероелектричната температура за подредување. (b) Карактеристичниот слободен енергетски пејзаж за основната состојба на фероелектрик. (c) Шема на дизајниран слободен енергетски пејзаж за основната состојба на асиметричен фероелектричен (d) Вештачки создаден нецентросиметричен кристал

Користејќи периодични структури од атомски тенки слоеви, истражувачкиот тим за прв пат демонстрирал квалитативно нов феномен – асиметрична фероелектричност. Овие вештачки дизајнирани кристали покажуваат асиметрична бистабилност со две нееднакви стабилни состојби на поларизација за разлика од природните фероелектрици.

Варусавитана се надева дека оваа за првпат забележан феномен на асиметрична фероелектричност постигнат кај дизајнирани материјали (materials-by-design) ќе поттикне дополнителни истражувања за добивање на прилагодени електронски својства кај материјалите. Секако, се надеваме дека ова и идните истражувања ќе најдат нови, интересни технолошки апликации.

Откритието беше објавено на почетокот од овој месец во списанието за физика, Physical Review B.